Dédouanement DDR3/4 ¥ Prix très compétitifs, livraison immédiate

June 11, 2025

Récemment, le marché du DDR3/4 a subi un changement soudain, tombant dans une situation tendue de pénurie et de hausse des prix.et SK Hynix prévoient d'arrêter progressivement les DDR3 et DDR4Cette décision a entraîné une forte diminution de l'offre de DDR3/4 sur le marché, provoquant une flambée des prix au comptant.Notre société a réservé un lot de DDR3/4 à l'avance avec une connaissance approfondie du marché.

Les modèles DDR suivants sont en stock avec une véritable assurance qualité:

DDR3/4
Nom du produit	Mode produit	Spécifications	Le code	Marque	Quantité	Entrepôt
DDR3L 256MB16	A3T4GF40BBF-HP	DDR3L 4Gb16 1866	6643 à 107	PG/ZENTEL	46670	Je suis à Shenzhen.

DDR3L 256MB16	A3T4GF40BBF-HP	DDR3L 4Gb16 1866	6643 à 107	PG/ZENTEL	938410	Hong-Kong

DDR4 512MB16	A3F8GH40BBF-KDPR	DDR4 8Gb16 2666	Le numéro d'immatriculation	PG/ZENTEL	14210	Je suis à Shenzhen.

DDR4 512MB16	A3F8GH40BBF-KDPR	DDR4 8Gb16 2666	Le numéro d'immatriculation	PG/ZENTEL	238260	Hong-Kong

8Gb ((DDR) 256M x32	NT1département d'État	Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin.		PG/Nanya	35K

Spécification de la mémoire SD-RAM de 8 Gb

• alimentation électrique

-VDD = VDDQ= 1,2 VJe ne sais pas.5%

-VPP= 2,5 V 5% + 10%

• Taux de données
- 3200 Mbps (DDR4-3200)
- 2933 Mbps (DDR4-2933)
- 2666 Mbps (DDR4-2666)
- 2400 Mbps (DDR4-2400)
- 2133 Mbps (DDR4-2133)
- 1866 Mbps (DDR4 à 1866)
- 1600 Mbps (DDR4-1600)
• Forfait
- 96 balles FBGA (A3F8GH40BBF)
- Sans plomb
• 8 banques internes2 groupes de 4 banques chacun (x16)
• Opération des entrées d'horloge différentielle (CK_t et CK_c)
• Stroboscope bi-directionnel avec données différentielles (DQS_t et DQS_c)
• La réinitialisation asynchrone est prise en charge (RESET_n)
• Étalonnage ZQ pour le pilote de sortie par comparaison avec
résistance de référence externe

(RZQ 240Je suis désolée.Je ne sais pas.1%)

• Termination nominale, de parcours et dynamique sur le matériau (ODT)
• DLL aligne les transitions DQ et DQS avec les transitions CK
• Commandes entrées sur chaque bord CK positif
• CAS Latency (CL): 13, 15, 17, 19, 21 et 22 sont pris en charge
• La latence additive (AL) 0, CL-1 et CL-2 est prise en charge
• Longueur d'explosion (BL): 8 et 4 avec support à la volée
• Téléchargement de l'article suivant:
et 20 soutenus
• Plage de température du boîtier d'exploitation

TC = 0Je ne sais pas.C à +95Je ne sais pas.C (de qualité commerciale)

• Cycles de rafraîchissement
Période de mise à jour moyenne

7.8Je ne sais pas.s à 0Je ne sais pas.CJe ne sais pas.TCJe ne sais pas.+ 85Je ne sais pas.C

3.9Je ne sais pas.s à +85Je ne sais pas.C < TCJe ne sais pas.+95Je ne sais pas.C
• La mise à jour de la granularité fine est prise en charge
• Génération interne réglable VREFDQ
• Interface pseudo-open drain (POD) pour l'entrée et la sortie de données
• La résistance d'entraînement sélectionnée par MRS
• Le transfert de données à grande vitesse par le pré-retrait de 8 bits
• Le mode de rafraîchissement à température contrôlée (TCR) est pris en charge
• Le mode LPASR (Low Power Auto Self Refresh) est pris en charge
• La mise à jour automatique de l'arrêt est prise en charge
• Le préambule programmable est pris en charge
• Le niveauage d'écriture est supporté
• La latence commandes/adresse (CAL) est prise en charge
• capacité de lecture et d'écriture du registre polyvalent
• Parité des adresses de commande (parité CA) pour
détecter et informer le signal d'erreur d'adresse de commande
au contrôleur
• Écrire un code de redondance cyclique (CRC) pour l'erreur DQ
détecter et informer le contrôleur à grande vitesse
opération
• Inversion du bus de données (DBI) pour améliorer la puissance
consommation et intégrité du signal de la mémoire
interface
• Masque de données (DM) pour l'écriture de données
• Adressage par DRAM (PDA) pour chaque DRAM
peut être définie une valeur de registre de mode différente
individuellement et a un ajustement individuel
• Le mode de réduction des vitesses (1/2 et 1/4 vitesses) est pris en charge
• hPPR et sPPR sont pris en charge
• Test de connectivité (x16 uniquement)
• Mode d'arrêt de puissance maximale pour la puissance la plus faible
consommation sans activité de rafraîchissement interne
• Conforme à la norme JEDEC JESD-79-4

Les spécifications de la mémoire SDRAM 4Gb DDR3/DDR3L
Les spécifications	Caractéristiques
• Densité: bits 4G • organisation 8 banques x 64 millions de mots x 8 bits 8 banques x 32 millions de mots x 16 bits • Forfait o FBGA à 78 balles o FBGA à 96 balles • alimentation électrique: - Je ne sais pas. o VDD, VDDQ = 1,35 V (1,283 à 1,45 V) o Compatible avec le fonctionnement DDR3 Pour les appareils de commande électronique, la valeur de l'indicateur d'alimentation doit être égale ou supérieure à: - JR. - Je sais. o VDD, VDDQ = 1,5 V (1,425 à 1,575 V) - JRL o VDD, VDDQ = 1,35 V (1,283 à 1,45 V) • Débit de données: 1866 Mbps/2133 Mbps (max.) • Taille de page de 1KB (x8) o Adresse des lignes: AX0 à AX15 o Adresse de la colonne: AY0 à AY9 • Taille de page de 2KB (x16) o Adresse des lignes: AX0 à AX14 o Adresse de la colonne: AY0 à AY9 • Huit banques internes pour une opération simultanée • Longueur de rupture (BL): 8 et 4 avec Burst Chop (BC) • Type de rupture (BT) o Séquentiel (8, 4 avec BC) o Interlais (8, 4 avec BC) • Latence CAS (CL): 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13, 14 • Tardé de rédaction CAS (CWL): 5, 6, 7, 8, 9, 10 • Précharge: option de précharge automatique pour chaque rafale accès • Force du conducteur: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω) • Récupération: auto-récréation, auto-récréation • Période moyenne de mise à jour o 7,8 us à TC ≤ +85°C o 3,9 us à TC > + 85°C • Plage de température de fonctionnement o TC = 0°C à +95°C (de qualité commerciale) o TC = -40°C à +95°C (de qualité industrielle) o TC = -40°C à +105°C (classe automobile 2)	• Le transfert de données à grande vitesse est réalisé par le 8 l'architecture de pipeline de bits pré-remplacés • Architecture à double débit: deux transferts de données par cycle horloger • Stroboscope bidirectionnel différentiel de données (DQS et /DQS) est transmis/reçu avec des données pour capture de données au récepteur • Le DQS est aligné sur les bords avec les données pour les READ; centre aligné sur les données relatives aux ETI • Entrées différentielles d'horloge (CK et /CK) • DLL aligne les transitions DQ et DQS avec CK les transitions • Les commandes saisies sur chaque bord CK positif; et le masque de données référencé aux deux extrémités du DQS • Masque de données (DM) pour l'écriture de données • CAS affiché par latence additive programmable pour amélioration de l'efficacité des bus de commandes et de données • On-die Termination (ODT) pour une meilleure qualité du signal o ODT synchrone o O • Registre multi-usage (MPR) pour les données prédéfinies Lire le modèle • étalonnage ZQ pour le moteur DQ et ODT • Autorefresh par matrice partielle programmable (PASR) • épingle RESET pour la séquence de mise sous tension et la réinitialisation fonction • Plage de température de rafraîchissement automatique (SRT): o Normale/étendue • Auto-actualisation (ASR) • Contrôle de l'impédance du pilote de sortie programmable • DDR3/DDR3L conforme à la JEDEC • sans marteau de ligne (sans RH): détection/blocage circuit à l'intérieur

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Personne à contacter :	Ms. Sunny Wu
Téléphone :	+8615712055204